-
1 transverse Nernst-Ettingshausen effect
поперечный эффект Нернста-Эттингсхаузена, поперечный термогальваномагнитный эффектEnglish-Russian electronics dictionary > transverse Nernst-Ettingshausen effect
-
2 transverse thermogalvanomagnetic effect
поперечный термогальваномагнитный эффект, поперечный эффект Нериста-ЭттингсхаузенаEnglish-Russian electronics dictionary > transverse thermogalvanomagnetic effect
-
3 transverse Nernst-Ettingshausen effect
поперечный эффект Нернста-Эттингсхаузена, поперечный термогальваномагнитный эффектThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > transverse Nernst-Ettingshausen effect
-
4 transverse thermogalvanomagnetic effect
поперечный термогальваномагнитный эффект, поперечный эффект Нериста-ЭттингсхаузенаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > transverse thermogalvanomagnetic effect
-
5 transverse nernst-ettingshausen effect
English-Russian dictionary of electronics > transverse nernst-ettingshausen effect
-
6 transverse therntogalvanomagnetic effect
English-Russian dictionary of electronics > transverse therntogalvanomagnetic effect
-
7 transverse Nernst-Ettingshausen effect
Универсальный англо-русский словарь > transverse Nernst-Ettingshausen effect
-
8 transverse thermogalvanomagnetic effect
Универсальный англо-русский словарь > transverse thermogalvanomagnetic effect
См. также в других словарях:
поперечный термогальваномагнитный эффект — Ндп. эффект Эттингсхаузена Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые,… … Справочник технического переводчика
Поперечный термогальваномагнитный эффект — 67. Поперечный термогальваномагнитный эффект Ндп. Эффект Эттингсхаузена Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
